Was sind die Schlüsseltechnologien bei der HDI-Board-Herstellung?

Jan 19, 2026 Eine Nachricht hinterlassen

Der Kern vonHDIBei der Leiterplattenherstellung geht es darum, durch Mikroporen und feine Linien Verbindungen mit hoher -Dichte zu erreichen, wobei Schlüsseltechnologien wie Laserbohren, Mikroporen-Galvanisierungsfüllung, schichtweise Herstellung und Präzisionsausrichtung zum Einsatz kommen.

 

24 Layers Backplane Board

 

1, Kernfertigungstechnologie
Laserbohrtechnik
Funktion: Bohren Sie mikrogroße Durchgangslöcher (normalerweise 3–5 ml im Durchmesser) in die Isolierschicht für elektrische Verbindungen zwischen den Schichten.
Schlüsselparameter: Blende, Seitenverhältnis (normalerweise auf 1:0,8–1:1 eingestellt), Lochwandrauheit. Ultravioletter Laser (UV) wird häufig verwendet, um eine „Kaltbearbeitung“ zu erreichen und thermische Schäden zu reduzieren.
Herausforderung: Es ist notwendig, mit Präzisionspositionierungssystemen (z. B. CCD-visueller Positionierung) zusammenzuarbeiten, um sicherzustellen, dass der Ausrichtungsfehler zwischen der Lochposition und dem Schaltkreis der unteren Schicht im Mikrometerbereich liegt.

 

Mikroporöse Galvanik-Fülltechnologie
Funktion: Abscheidung von Kupfer auf der Innenwand von mit Laser gebohrten Mikrolöchern, wodurch ein leitender Pfad mit geringem Widerstand entsteht.
Schlüsselprozess: Verwendung der Impulsgalvanisierungstechnologie zur Steuerung der Stromwellenform und zur Sicherstellung, dass die Kupferschicht im Loch gleichmäßig und frei von Hohlräumen ist. Nach dem Füllen der Löcher wird häufig ein chemisch-mechanisches Polieren (CMP) durchgeführt, um die Oberfläche flach zu machen.
Herausforderung: Gleichmäßiges Füllen von Mikroporen mit hohem Aspektverhältnis, um Signalreflexion oder Impedanzfehlanpassung aufgrund von Galvanisierungsfehlern zu verhindern.

 

Mehrschichtiger Herstellungsprozess
Funktion: Bauen Sie mehrschichtige Leiterplatten auf, indem Sie sie Schicht für Schicht stapeln, um eine Verkabelung mit hoher -Dichte zu erreichen.

Wichtige Schritte:
Vorbereitung der Trägerplatte: Bereiten Sie die Trägerplatte vor (in der Regel).FR-4).
Stacking cycle: On the core board or existing layers, the following steps are carried out in sequence: coating photosensitive medium ->laser drilling ->chemical copper plating ->electroplating thickening ->photolithography pattern transfer ->Pressen und Aushärten.
Hauptvorteile: Erzielung ultrafeiner Linien (Linienbreite/-abstand bis zu 30–50 μm) und hoher Liniendichte.

 

Präzise Ausrichtungs- und Laminiertechnologie
Funktion: Gewährleistet eine präzise Ausrichtung der Schaltkreise jeder Schicht während der Komprimierung und vermeidet eine Fehlausrichtung zwischen den Schichten, die zu Unterbrechungen oder Kurzschlüssen führen kann.
Hauptanforderung: Die Genauigkeit der Ausrichtung zwischen den Schichten sollte innerhalb von ± 15 μm liegen. Durch die Verwendung einer sequentiellen Laminierung (Schicht-für-Schicht-Laminierung) anstelle einer einmaligen Laminierung können Blasen und Defekte zwischen den Schichten erheblich reduziert werden.

 

2, Hilfs- und Schlüsselprozesse
Oberflächenbehandlung: wie ENIG (stromlos vernickeltes Immersionsgold), OSP (organischer Lötstopplack) usw., um die Kupferoberfläche zu schützen und eine gute Schweißbarkeit zu gewährleisten.
Lötstoppmasken- und Siebdruck: Präziser Druck der Lötstoppmaske und Zeichenidentifizierung.
Prüfung und Inspektion: Verwendung von Flying-Nadel-Tests, automatischer optischer Inspektion (AOI) usw. zur Sicherstellung der elektrischen Leistung und der Qualität des Erscheinungsbilds.

 

3, Technische Herausforderungen und Entwicklungstrends
Herausforderung: Wenn die Porengröße weiter abnimmt (z. B<30 μ m) and the aspect ratio increases (such as>1:1) steigt die Schwierigkeit des Laserbohrens und Galvanisierens stark an; Die Ausrichtung zwischen den Schichten und die Kontrolle der Signalintegrität von HDI-Karten hoher Ordnung (z. B. Arbitrary Layer Interconnect HDI) sind komplexer.


Trend: Entwicklung hin zu höherer Ordnung (z. B. HDI mit beliebiger Schichtverbindung), kleinerer Apertur/Linienbreite (z. B. 20 μm-Ebene), neuen Materialien (z. B. dielektrische Materialien mit niedrigem Dk/Df) und intelligenter Fertigung (z. B. KI-Qualitätsprüfung, digitale Zwillingssimulationsoptimierung von Prozessparametern).

 

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