Professionelle Lösung für die Verbindung von Leiterplatten auf jeder Ebene
Jede EbeneHDI-Leiterplatteist die Kernform der High-End-Verbindungstechnologie mit hoher-Dichte, die eine direkte elektrische Leitfähigkeit zwischen zwei beliebigen Schichten der Leiterplatte erreichen kann, ohne auf herkömmliche Durchgangslöcher oder Blindlochadapter mit fester Höhe angewiesen zu sein. Es ist derzeit eine Schlüssellösung, um den Engpass der Verkabelung mit hoher-Dichte und der Hochfrequenz--Signalübertragung mit hoher Geschwindigkeit zu überwinden.
Kerntechnologiearchitektur
Vollständiger Verbindungsmechanismus: Durch die Aufhebung der herkömmlichen festen Verbindungsbeschränkungen „Schicht für Schicht“ auf Leiterplatten und die Einführung eines Designs, das vollständige Stapellöcher und versetzte Löcher kombiniert, kann jede Durchkontaktierung unabhängig mit einer bestimmten Schicht verbunden werden, ohne dass Schicht für Schicht gewickelt und geschaltet werden muss, was die Verdrahtungsfreiheit um mehr als 60 % erhöht.
Symmetrische Anordnung der Funktionsschichten: unterteilt in drei Funktionszonen: Signalübertragungsschicht, Stromversorgungsschicht und Erdungsabschirmungsschicht, gestapelt nach dem Prinzip der symmetrischen Balance, um ein Verziehen der Platine zu vermeiden und eine gleichbleibende elektrische Leistung sicherzustellen.
Stereoskopisches Verkabelungsnetzwerk: Durch das Stapeln von Isolierschichten und leitenden Schichten durch mehrere Schichtprozesse wird ein dreidimensionaler Verbindungskanal aufgebaut. Bei gleicher Platinenfläche ist die Leitungsdichte, die transportiert werden kann, mehr als doppelt so hoch wie bei gewöhnlichen HDI-Platinen.
Durchbruch in wichtigen Herstellungsprozessen
UV-Laser-Präzisionsbohren: Mithilfe eines visuellen Positionierungskompensationssystems wird der Mindestdurchmesser von 30 μm Mikroporen auf einer 50 μm dicken dielektrischen Schicht gebildet, und die Genauigkeit der Ausrichtung zwischen den Schichten wird innerhalb von ± 5 μm kontrolliert, was weit über dem Genauigkeitsniveau von ± 25 μm der gewöhnlichen HDI-Technologie liegt.
Lochfüllung durch Pulse-Reverse-Galvanik: In Kombination mit speziellen Additiven ist die Kupferabscheidungsrate im Loch schneller als auf der Oberfläche unter der Bedingung eines Verhältnisses von Mikrolochtiefe zu Durchmesser von 1:1, und die Abweichung der Kupferdicke im Loch beträgt weniger als 10 %, wodurch der „Hundeknocheneffekt“ der herkömmlichen Galvanisierung vollständig eliminiert wird und eine Hochfrequenzsignalübertragung ohne Impedanzmutation gewährleistet wird.
Kontrolle der spannungsarmen Laminierung: Nano-Silica-modifiziertes Epoxidharz wird verwendet, um den CTE (Wärmeausdehnungskoeffizient) der Platte von herkömmlichen 60 ppm/Grad auf 35 ppm/Grad zu reduzieren. In Kombination mit einer progressiven Heizlaminierungskurve kann die Zwischenschichtverschiebung der 8--Schichtplatte nach 7 Kompressionen immer noch unter 8 μm kontrolliert werden, und die Krümmung der 40-Schicht-Superhochhausplatte beträgt weniger als oder gleich 0,5 %.
Laser-Direktbildgebungsschaltung: Erzielen Sie beim Formen eine minimale Linienbreite und einen Linienabstand von 35/35 μm, mit glatten Kanten und ohne Lücken, stabilen Maßtoleranzen und geeignet für Verdrahtungsanforderungen mit hoher -Dichte von High-End-Chips wie BGA und CSP mit einem Abstand von 0,3 mm oder weniger.
Garantie auf Material und elektrische Leistung
High-End-Substratauswahl: Die RO4000-Serie von Rogers wird bevorzugt. Isola Astra MT77. Die M-Serie von Panasonic und andere verlustarme Hochgeschwindigkeitssubstrate verfügen über eine äußerst stabile Dielektrizitätskonstante und einen äußerst stabilen Verlustfaktor und können eine Hochgeschwindigkeitssignalübertragung von 112 Gbit/s und mehr unterstützen. Die Rückflussdämpfung im 28-GHz-Frequenzband ist im Vergleich zu herkömmlichen HDI-Karten um 15 dB verbessert.
Präzise Impedanzkontrolle: Durch die Gestaltung einer gleichmäßigen Dielektrikumsdicke und stabiler Schaltungsparameter wird eine Single-Ended- und Differential-Impedanztoleranzkontrolle von ± 3 % bis 5 % erreicht, wodurch Impedanzmutationen vermieden werden, die durch herkömmliche Prozess-Zwischenschichtfehlausrichtungen verursacht werden, und eine kontinuierliche Signalübertragung ohne Reflexion gewährleistet wird.
Übersprechen und Rauschunterdrückung: Verwendung einer unabhängigen Signalschicht und eines dichten Isolationsdesigns der Erdungsschicht, wodurch der Signalrückweg erheblich verkürzt und das Übersprechen zwischen Schichten und Leitungen um mehr als 40 % reduziert wird; Der mehrschichtige, kontinuierliche Stromversorgungs-/Masseebenenaufbau eines Stromversorgungsnetzwerks mit niedriger Impedanz reduziert den Spannungsabfall und das Leistungsrauschen erheblich.
System zur Zuverlässigkeitsüberprüfung
Strenge Umwelttests: Zusätzlich zu den herkömmlichen Thermoschocktests wurden Hochdruckkochtests (121 Grad/100 % relative Luftfeuchtigkeit/96 Stunden) und Ionenmigrationstests (85 Grad/85 % relative Luftfeuchtigkeit/50 V Vorspannung) hinzugefügt, um langfristige Ausfallrisiken wie Mikroporenrisse und CAF-Ionenmigration vollständig zu vermeiden.
3D-Vollwellensignalsimulation: Ersetzt herkömmliche 2,5D-Simulationswerkzeuge und berechnet Faktoren wie die elektromagnetische Kopplung benachbarter Mikrolöcher und die Diskontinuität der Referenzebene genau, wobei ein Designspielraum von 10 % reserviert ist, um Probleme mit der Signalintegrität in Hochfrequenzszenarien zu vermeiden.
Vorproduktion der Prozessvalidierungsplatine: Vor der Massenproduktion muss ein spezieller Validierungscoupon erstellt werden, der die dichteste mikroporöse Anordnung, die Mindestlinienbreite und -abstände sowie den Impedanzteststreifen enthält. Nach Bestätigung der Stabilität des Prozessfensters kann die Massenproduktion durchgeführt werden, um Ausbeuteverluste zu vermeiden.